瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产
时间：2024-07-26 来源：本站
近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证；同时，瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产，后续将依托浙江义乌的车规级碳化硅(SiC)晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。瞻芯电子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET，现有3款产品：IV3Q12013T4Z，IV3Q12013BA，IV3Q12013BD，主要用于车载电驱动系统，凭借出色的性能表现，已获得多家车载电驱动客户的项目定点。
瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET特性
第三代1200V SiC MOSFET仍为平面栅型MOSFET，相比第二代工艺，元胞的Pitch缩小了超过20%。
同时在核心指标上，第三代产品在保证器件的耐压和短路能力的前提下，将比导通电阻Rsp降低至2.5mΩ*cm²，达到国际第一梯队的水平。同时，第三代产品的开关损耗，对比第二代产品进一步降低30%以上。
而且，第三代产品的导通电阻Rds(on)的温度系数明显降低，在高温运行情况下，导通电阻增加较少。如下图所示，当Vgs=15V应用时，175°C时的Rds(on)对比25°C时的Rds(on)只有1.42倍；当Vgs=18V应用时，175°C时的Rds(on)对比25°C时的Rds(on)只有1.65倍。
在可靠性方面，首款产品IV3Q12013T4Z不仅按照AEC-Q101标准完成了三批次可靠性认证，获得车规级可靠性认证证书，而且通过了更严格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括动态可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，栅极负偏压下的HTRB等。通过上述Beyond-AECQ和极限性能测试，充分验证了第三代工艺平台及产品在多种边界工况下的稳定性和鲁棒性，为迎接市场考验做好了充足的准备。
